隨著全球能源需求因AI資料中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增，安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。這些新一代GaN-on-GaN功率半導體能夠使電流垂直穿過化合物半導體，支援更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI資料中心、電動汽車(EV)、可再生能源以及航空航太等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。
專有的GaN-on-GaN技術實現更高壓垂直導電，支援更快的開關速度和更緊湊的設計，降低能量損耗和熱量，損耗減少近50%。該技術由安森美在紐約雪城的研發團隊開發，涵括基礎工藝、元件架構、製造及系統創新的130多項專利。
安森美的垂直GaN技術是一項突破性的功率半導體技術，為AI和電氣化時代樹立了在能效、功率密度和穩健性方面的新標竿。該技術在安森美紐約雪城的工廠研發和製造，並已獲得涵蓋垂直GaN技術的基礎工藝、元件設計、製造以及系統創新的130多項全球專利。
安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示：「垂直GaN是顛覆產業格局的技術突破，隨著電氣化和人工智慧重塑產業格局，能效已成為衡量進步的新基準。我們的電源產品群組中新增垂直GaN技術，賦能客戶突破性能邊界，是打造更具競爭力產品的理想選擇。」
安森美的垂直氮化鎵技術採用單晶元設計，可應對1,200伏及以上高壓，高頻開關大電流，能效卓越。基於該技術構建的高階電源系統能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。與目前市售的橫向GaN元件相比，垂直氮化鎵元件的體積縮小約三分之二，特別適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴苛要求的關鍵大功率應用領域。
目前市售的大多數GaN元件都採用非GaN基板，主要是矽或藍寶石基板。安森美的垂直氮化鎵(vGaN)採用GaN-on-GaN技術，使電流能夠垂直流過晶片，達成更高的功率密度、更優異的熱穩定性和在極端條件下更穩健的性能。這些優勢使vGaN全面超越了矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)和藍寶石基氮化鎵(GaN-on-sapphire)元件，提供更高的耐壓能力、開關頻率、可靠性以及穩健性。
現階段安森美已開始向早期客戶提供樣品。
